NVMYS3D8N04CLTWG

onsemi
863-NVMYS3D8N04CLTWG
NVMYS3D8N04CLTWG

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V LL LFPAK

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 3,000

库存：
3,000 可立即发货
生产周期：
31 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥15.2211 ¥15.22
¥13.7295 ¥137.30
¥9.1869 ¥918.69
¥7.4806 ¥3,740.30
¥6.554 ¥6,554.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.0228 ¥12,068.40

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
87 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
55 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 80 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 100 ns
系列: NVMYS3D8N04CL
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 9.3 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMYS3D8N04CL功率MOSFET

安森美（onsemi）NVMYS3D8N04CL功率MOSFET是一款单N沟道MOSFET，设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。该功率MOSFET的漏极-源极电压为40V，漏极电阻为3.7mΩ，连续漏极电流为87A。NVMYS3D8N04CL N沟道MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。该器件无铅，符合RoHS指令。NVMYS3D8N04CL非常适用于电池反向保护电源开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。

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