X 波段氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路

Wolfspeed/Cree X 波段氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路具有宽带隙，与基于砷化镓的器件相比，击穿场强增加了五倍，功率密度增加了 10 到 20 倍。 对于相同的工作电源，Cree 氮化镓元件的尺寸更小、电容更低。 这意味着放大器可以在更宽的带宽范围内工作，同时具有良好的输入和输出匹配。 考虑到氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路的显著优势，X 波段功率放大器逐渐不再采用低效的 GaAs pHEMT 和不可靠的行波管。
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结果: 6
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数量 RoHS
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
数据表
375库存量
250预期 2026/4/9
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

MACOM 射频放大器 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
数据表
240库存量
最低： 1
倍数： 1

MACOM 射频放大器 GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
数据表
1库存量
10预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
数据表
748预期 2026/3/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1