X 波段氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路

Wolfspeed/Cree X 波段氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路具有宽带隙，与基于砷化镓的器件相比，击穿场强增加了五倍，功率密度增加了 10 到 20 倍。 对于相同的工作电源，Cree 氮化镓元件的尺寸更小、电容更低。 这意味着放大器可以在更宽的带宽范围内工作，同时具有良好的输入和输出匹配。 考虑到氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路的显著优势，X 波段功率放大器逐渐不再采用低效的 GaAs pHEMT 和不可靠的行波管。
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数量 RoHS ECAD模型 工作频率
工作电源电压
工作电源电流
增益
类型
安装风格
技术
P1dB - 压缩点
OIP3 - 三阶截点
最小工作温度
最大工作温度
封装
MACOM 射频放大器 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
数据表
240库存量
最低： 1
倍数： 1

9 GHz to 11 GHz 28 V 1.5 A 23 dB Power Amplifiers Screw GaN - 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM 射频放大器 GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
数据表
1库存量
10预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray