QPD0005TR13

Qorvo
772-QPD0005TR13
QPD0005TR13

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Qorvo QPD0005TR13详情

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
16 周 预计工厂生产时间。
最少： 2500   倍数： 2500
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥42.036 ¥105,090.00

备用包装

制造商零件编号:
QPD0005SR
包装:
Reel, Cut Tape
供货情况:
库存量
单价:
¥114.1526
最小:
1

类似产品

Qorvo QPD0005SR
Qorvo
GaN 场效应晶体管 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor
受限供货情况: Mouser当前不供应此零件编号的零件。产品可能为限量销售或工厂特别订单。
与当前部分进行比较

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
48 V
商标: Qorvo
增益: 18.8 dB
最大漏极/栅极电压: 48 V
最大工作频率: 5 GHz
最小工作频率: 2.5 GHz
湿度敏感性: Yes
输出功率: 5 W
封装: Reel
产品类型: GaN FETs
系列: QPD0005
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
技术: GaN
零件号别名: QPD0005 QPD0005SR
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

PCN

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD0005 GaN射频晶体管

Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用塑料包覆成型DFN封装。这些射频晶体管的工作频率范围为2.5GHz至5GHz。Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单级、不匹配晶体管，能够在48V电压下提供8.7W PSAT 。这些晶体管采用4.5mm x 4.0mm封装，符合RoHS指令。应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G大规模MIMO和通用应用。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。