QPD0005 GaN射频晶体管
Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用塑料包覆成型DFN封装。这些射频晶体管的工作频率范围为2.5GHz至5GHz。Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单级、不匹配晶体管，能够在48V电压下提供8.7W PSAT 。这些晶体管采用4.5mm x 4.0mm封装，符合RoHS指令。应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G大规模MIMO和通用应用。
Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用塑料包覆成型DFN封装。这些射频晶体管的工作频率范围为2.5GHz至5GHz。Qorvo QPD0005 GaN射频晶体管是单级、不匹配晶体管，能够在48V电压下提供8.7W PSAT 。这些晶体管采用4.5mm x 4.0mm封装，符合RoHS指令。应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G大规模MIMO和通用应用。