FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积(0402 外壳尺寸),并有超低电阻(与竞争产品相比低 70%)。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格,并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量,使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗,提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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结果: 38
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Texas Instruments MOSFET 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T 8,475库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 175 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4 1,202库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2.3 A 970 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 1.14 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T 8,900库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.7 A 840 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 700 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20V P-channel Femto FET MOSFET A 595-CS A 595-CSD25480F3 1,250库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.7 A 840 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 700 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T 9,294库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4 242库存量
3,000预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 800 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 913 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 20V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4T 8,339库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.6 A 1.07 Ohms - 12 V, 12 V 950 mV 960 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25483 A 595-CSD25483F4 1,825库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.6 A 1.07 Ohms - 12 V, 12 V 950 mV 960 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T 3,541库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 825 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 1.09 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T 4,856库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 250 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5 380库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 250 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T
27,000预期 2026/3/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 128 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 920 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17484 A 595-CSD17484F4
5,748预期 2026/3/23
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 128 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 920 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement FemtoFET Reel, Cut Tape, MouseReel