NVB190N65S3F

Name: onsemi NVB190N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVB190N65S3F
Price: 35.14 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVB190N65S3F

制造商编号：

NVB190N65S3F

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M

数据表:

NVB190N65S3F 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥39.7082	¥39.71
	¥26.9618	¥269.62
	¥19.1083	¥1,910.83
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥16.9613	¥13,569.04

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	34 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	162 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperFET III
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	3 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13 ns
系列:	SuperFET3
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	43 ns
典型接通延迟时间:	19 ns
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

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数据表

NVB190N65S3F 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。

SUPERFET III® 650V N通道MOSFET

安森美半导体SUPERFET III® 650V 190mΩ N通道MOSFET非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和高效率。该器件采用电荷平衡技术，实现了低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该技术专门设计用于最大限度降低导通损耗、提供出色的开关性能以及承受极端dv/dt比。SUPERFET III® 650V 190mΩ N通道MOSFET非常适合用于混合动力电动汽车的汽车车载充电器和直流/直流转换器。