650V CoolSiC™ M1沟槽式功率MOSFET

英飞凌科技  650V CoolSiC ™ M1沟槽式功率MOSFET结合了碳化硅的优异物理特性和独特功能，从而提高了器件性能、可靠性和易用性。CoolSiC M1 MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，优化用于实现最低应用损耗和 最高运行可靠性。这些器件适用于高温和恶劣环境，能够简化系统部署，降低成本，并实现最高的系统效率。 

结果: 26
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
3,980库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
865库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
739库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
783库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
753库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
466库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,477库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
444库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
692库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
911库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,051库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
222库存量
720预期 2026/7/30
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
254库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
332库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
153库存量
240预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
20库存量
240预期 2026/2/26
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
91库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
92库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
251库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
155库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
132库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
480预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
480预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
无库存交货期 11 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC