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SCT4062KWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KWAHRTL
Price: 90.77 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-SCT4062KWAHRTL

制造商编号：

SCT4062KWAHRTL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

数据表:

SCT4062KWAHRTL 数据表

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥102.5701	¥102.57
	¥71.2239	¥712.24
	¥56.5791	¥5,657.91
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥53.0987	¥53,098.70

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7LA
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	81 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	64 nC
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	93 W
通道模式:	Enhancement
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	6.5 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	MOSFET's
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	11 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	22 ns
典型接通延迟时间:	4.4 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

SCT4062KWAHRTL 数据表

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

SCT4062KWAHR AEC-Q101 N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N沟道碳化矽 (SiC) 功率MOSFET是一款高性能汽车等级设备，适用于苛刻的汽车环境。 ROHM SCT4062KWAHR的漏源电压额定值高达1200V，漏极连续电流为24A（+25°C 时），因此该MOSFET非常适合用于高压、高效的电源转换系统。SCT4062KWAHR的典型导通电阻为62mΩ，可最大限度地减少传导损耗并支持快速开关，从而有助于减少功率损耗并提高热性能。该设备采用TO-263-7LA格式封装，具有出色的热耗散，易于集成到紧凑型电源模块中。SCT4062KWAHR非常适合用于电动汽车 (EV) 应用，如牵引逆变器、车载充电器和DC-DC 转换器，在这些应用中，可靠性、效率和热稳定性至关重要。