|
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥323.5868
-
240预期 2026/7/2
-
NRND
|
Mouser 零件编号
726-IMZA75R008M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240预期 2026/7/2
|
|
|
¥323.5868
|
|
|
¥232.6783
|
|
|
¥219.6946
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
- GP2T080A120H
- SemiQ
-
1:
¥68.4102
-
250预期 2026/9/18
|
Mouser 零件编号
148-GP2T080A120H
|
SemiQ
|
碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
|
|
250预期 2026/9/18
|
|
|
¥68.4102
|
|
|
¥48.2284
|
|
|
¥38.872
|
|
|
¥34.578
|
|
|
¥30.6004
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
- TW015Z120C,S1F
- Toshiba
-
1:
¥167.579
-
20预期 2026/6/26
|
Mouser 零件编号
757-TW015Z120CS1F
|
Toshiba
|
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
|
|
20预期 2026/6/26
|
|
|
¥167.579
|
|
|
¥119.0229
|
|
|
¥103.9713
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
- STGW100H65FB2-4
- STMicroelectronics
-
1:
¥78.7497
-
42库存量
|
Mouser 零件编号
511-STGW100H65FB2-4
|
STMicroelectronics
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
|
|
42库存量
|
|
|
¥78.7497
|
|
|
¥49.8782
|
|
|
¥40.2845
|
|
|
¥36.725
|
|
|
¥33.5836
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
- STW70N60DM6-4
- STMicroelectronics
-
1:
¥95.4511
-
25库存量
|
Mouser 零件编号
511-STW70N60DM6-4
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
|
|
25库存量
|
|
|
¥95.4511
|
|
|
¥60.5454
|
|
|
¥50.4545
|
|
|
¥44.9966
|
|
|
¥41.4371
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
- IKY40N120CS6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥59.4719
-
420在途量
|
Mouser 零件编号
726-IKY40N120CS6XKSA
|
Infineon Technologies
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
|
|
420在途量
在途量:
180 预期 2027/1/28
240 预期 2027/2/4
|
|
|
¥59.4719
|
|
|
¥38.872
|
|
|
¥30.2727
|
|
|
¥25.3911
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
- IKZA100N65EH7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥81.6425
-
240预期 2026/9/24
|
Mouser 零件编号
726-IKZA100N65EH7XKS
|
Infineon Technologies
|
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
|
|
240预期 2026/9/24
|
|
|
¥81.6425
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥45.991
|
|
|
¥40.9399
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET HIGH POWER_NEW
- IPZA60R045P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥83.1341
-
220预期 2026/7/23
|
Mouser 零件编号
726-IPZA60R045P7XKSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_NEW
|
|
220预期 2026/7/23
|
|
|
¥83.1341
|
|
|
¥56.7486
|
|
|
¥46.8159
|
|
|
¥41.6857
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET HIGH POWER_NEW
- IPZA60R099P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥61.2912
-
240预期 2026/8/27
|
Mouser 零件编号
726-IPZA60R099P7XKSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_NEW
|
|
240预期 2026/8/27
|
|
|
¥61.2912
|
|
|
¥40.2054
|
|
|
¥29.5269
|
|
|
¥26.3064
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R40MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
¥153.5557
-
600预期 2026/8/17
|
Mouser 零件编号
905-G3R40MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
600预期 2026/8/17
|
|
|
¥153.5557
|
|
|
¥140.2669
|
|
|
¥135.2271
|
|
|
¥128.1081
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
- IPZ60R099P6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥59.2233
-
无库存交货期 8 周
|
Mouser 零件编号
726-IPZ60R099P6FKSA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
|
|
无库存交货期 8 周
|
|
|
¥59.2233
|
|
|
¥33.9113
|
|
|
¥28.3743
|
|
|
¥25.7301
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SiC MOSFET TO-247 Single 1200V
- FMG50AQ120N6
- SanRex
-
30:
¥2,481.48
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
197-FMG50AQ120N6
|
SanRex
|
碳化硅MOSFET SiC MOSFET TO-247 Single 1200V
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 30
倍数： 30
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
- TP65H035G4YS
- Renesas Electronics
-
1,200:
¥47.234
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
227-TP65H035G4YS
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 1,200
倍数： 1,200
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-
- UJ4SC075009K4S
- onsemi
-
600:
¥201.2304
-
无库存交货期 31 周
|
Mouser 零件编号
431-UJ4SC075009K4S
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-
|
|
无库存交货期 31 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
- MSC180SMA120B
- Microchip Technology
-
1:
¥71.8793
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-MSC180SMA120B
|
Microchip Technology
|
碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
|
|
无库存
|
|
|
¥71.8793
|
|
|
¥66.2519
|
|
|
¥57.6526
|
|
|
¥54.2626
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
- STW56N65M2-4
- STMicroelectronics
-
600:
¥49.7991
-
无库存交货期 20 周
|
Mouser 零件编号
511-STW56N65M2-4
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
|
|
无库存交货期 20 周
|
|
|
¥49.7991
|
|
|
¥46.4882
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
|
|
MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
- STW68N60M6-4
- STMicroelectronics
-
600:
¥58.8956
-
无库存交货期 20 周
|
Mouser 零件编号
511-STW68N60M6-4
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
|
|
无库存交货期 20 周
|
|
|
¥58.8956
|
|
|
¥55.9124
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
|
|
MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
- STW75N60M6-4
- STMicroelectronics
-
600:
¥49.4601
-
无库存交货期 20 周
|
Mouser 零件编号
511-STW75N60M6-4
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
|
|
无库存交货期 20 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
- AIMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥183.7945
-
交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZA75R020M1HXK
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
|
|
交货期 52 周
|
|
|
¥183.7945
|
|
|
¥132.5151
|
|
|
¥98.0162
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
- AIMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥102.4006
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZA75R040M1HXK
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥102.4006
|
|
|
¥73.6986
|
|
|
¥54.8389
|
|
|
¥51.867
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZH120R080M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥79.9814
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZH120R080M1TX
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥79.9814
|
|
|
¥47.3131
|
|
|
¥40.0359
|
|
|
¥39.9568
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R010M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥283.8786
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R010M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥283.8786
|
|
|
¥231.6839
|
|
|
¥206.0442
|
|
|
¥193.8063
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R030M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥138.6284
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R030M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥138.6284
|
|
|
¥116.4691
|
|
|
¥88.9197
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R060M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥110.175
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R060M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥110.175
|
|
|
¥74.4444
|
|
|
¥58.3193
|
|
|
¥52.771
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R120M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥59.0538
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R120M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥59.0538
|
|
|
¥46.8159
|
|
|
¥37.3917
|
|
|
¥33.6627
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
