GaN 半导体

结果: 797
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 3,436库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11,351库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 1,978库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12,113库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 1,884库存量
7,500预期 2026/10/13
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 9,402库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2,798库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3 2,678库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1,911库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 14,721库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 460库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 930库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 2,059库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 12,152库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 6,932库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 11,468库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4,917库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 2,565库存量
15,000预期 2026/11/6
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 1,789库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2,370库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2,563库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 696库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET 237库存量
最低: 1
倍数: 1
: 30

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V 220库存量
250预期 2026/9/29
最低: 1
倍数: 1
: 250