GaN 半导体

结果: 797
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 650V, 11A, N-Channel GaN FET 2,102库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Central Semiconductor GaN 场效应晶体管 650V, 17A, N-Channel GaN FET 2,438库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 530库存量
12,500预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies 栅极驱动器 LOW SIDE DRIVERS 3,172库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

Infineon Technologies 栅极驱动器 LOW SIDE DRIVERS 2,648库存量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Infineon Technologies 栅极驱动器 LOW SIDE DRIVERS 2,077库存量
5,000预期 2026/7/2
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Power Integrations 交流/直流转换器 65 W (85-265 VAC) 672库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 5库存量
1,200在途量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 5库存量
1,200预期 2026/8/14
最低: 1
倍数: 1
: 200

Nexperia GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16 1库存量
2,500预期 2026/6/22
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Texas Instruments 栅极驱动器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT
17,986预期 2026/10/5
最低: 1
倍数: 1
最大: 170
: 3,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
12,490预期 2026/7/6
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
14,992预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
3,538在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
500预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1
: 500

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
75预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1

Qorvo GaN 场效应晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
1,550预期 2026/8/19
最低: 1
倍数: 1

Qorvo GaN 场效应晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
355预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1

onsemi 栅极驱动器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2,975预期 2026/8/10
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

onsemi 栅极驱动器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
3,000预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750预期 2026/9/15
最低: 1
倍数: 1
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
244预期 2026/12/8
最低: 1
倍数: 1

Texas Instruments 栅极驱动器 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
411预期 2026/10/5
最低: 1
倍数: 1
最大: 30
: 250

Texas Instruments 电流隔离式栅极驱动器 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540ADWK
4,000预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in TO220
1,938预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1