结果: 383
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Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
15,600在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
50预期 2026/7/7
最低: 1
倍数: 1
: 750

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
210预期 2026/6/29
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
240在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
4预期 2026/11/2
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
4预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies IGBT 模块 HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
11在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE 1库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
6,000预期 2027/5/26
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
14,980在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
1,860预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
1,440在途量
最低: 1
倍数: 1


Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES 127库存量
480预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
420预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1
最大: 60


Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
720预期 2026/7/23
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
480在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
2,512在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
1,440在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1,200在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE
1,910预期 2026/8/27
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
480预期 2027/6/10
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
1,992在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
480预期 2026/12/3
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
240预期 2026/8/6
最低: 1
倍数: 1
: 240



Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1,995在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000