|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
- EPC2059
- EPC
-
1:
¥39.1206
-
12,213库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2059
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
|
|
12,213库存量
|
|
|
¥39.1206
|
|
|
¥25.8092
|
|
|
¥18.2834
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥12.8255
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
- EPC2206
- EPC
-
1:
¥46.9854
-
4,644库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2206
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
|
|
4,644库存量
|
|
|
¥46.9854
|
|
|
¥31.2671
|
|
|
¥26.7132
|
|
|
¥26.3855
|
|
|
¥24.4871
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
- EPC2215
- EPC
-
1:
¥52.4433
-
10,867库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2215
Mouser 的新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
|
|
10,867库存量
|
|
|
¥52.4433
|
|
|
¥35.1543
|
|
|
¥29.2783
|
|
|
¥26.8036
|
|
|
¥26.8036
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
- QPD1010
- Qorvo
-
1:
¥621.6921
-
48库存量
-
50预期 2026/9/9
|
Mouser 零件编号
772-QPD1010
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
|
|
48库存量
50预期 2026/9/9
|
|
|
¥621.6921
|
|
|
¥615.4432
|
|
|
¥315.0214
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频放大器 8-11 GHz GaN LNA
- QPL1000SR
- Qorvo
-
1:
¥1,067.0703
-
72库存量
-
100预期 2026/10/22
|
Mouser 零件编号
772-QPL1000SR
|
Qorvo
|
射频放大器 8-11 GHz GaN LNA
|
|
72库存量
100预期 2026/10/22
|
|
|
¥1,067.0703
|
|
|
¥1,056.3805
|
|
|
¥769.5978
|
|
|
¥651.7275
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
- T2G6001528-Q3
- Qorvo
-
1:
¥1,686.751
-
123库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6001528-Q3
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
|
|
123库存量
|
|
|
¥1,686.751
|
|
|
¥1,669.8123
|
|
|
¥1,132.373
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
- CG2H40010F
- MACOM
-
1:
¥977.5178
-
496库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40010F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
|
|
496库存量
|
|
|
¥977.5178
|
|
|
¥820.832
|
|
|
¥781.6662
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
- CG2H40045F
- MACOM
-
1:
¥4,000.313
-
877库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40045F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
|
|
877库存量
|
|
|
¥4,000.313
|
|
|
¥3,409.4586
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
- CG2H40120F
- MACOM
-
1:
¥5,560.6057
-
30库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40120F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
|
|
30库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
- CGH21240F
- MACOM
-
1:
¥10,037.5527
-
37库存量
-
30预期 2026/7/31
|
Mouser 零件编号
941-CGH21240F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
|
|
37库存量
30预期 2026/7/31
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
- CGH27060F
- MACOM
-
1:
¥2,903.196
-
72库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27060F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
|
|
72库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
- CGH40010F
- MACOM
-
1:
¥958.5903
-
2,660库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40010F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
|
|
2,660库存量
|
|
|
¥958.5903
|
|
|
¥797.3845
|
|
|
¥726.1719
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
- CGH40025F
- MACOM
-
1:
¥2,043.7971
-
280库存量
-
160预期 2026/8/14
|
Mouser 零件编号
941-CGH40025F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
|
|
280库存量
160预期 2026/8/14
|
|
|
¥2,043.7971
|
|
|
¥1,725.8377
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
- CGH40035F
- MACOM
-
1:
¥3,081.7699
-
219库存量
-
540在途量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40035F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
|
|
219库存量
540在途量
在途量:
190 预期 2026/8/27
350 预期 2026/8/28
|
|
|
¥3,081.7699
|
|
|
¥2,602.3335
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
- CGHV38375F
- MACOM
-
1:
¥11,132.308
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV38375F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
|
|
20库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
- CGHV40050F
- MACOM
-
1:
¥3,532.4365
-
75库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV40050F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
|
|
75库存量
|
|
|
¥3,532.4365
|
|
|
¥3,020.6143
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
- CGHV40100F
- MACOM
-
1:
¥4,281.1858
-
179库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV40100F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
|
|
179库存量
|
|
|
¥4,281.1858
|
|
|
¥3,648.8152
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT
- CGHV40180F
- MACOM
-
1:
¥4,461.5677
-
311库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV40180F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT
|
|
311库存量
|
|
|
¥4,461.5677
|
|
|
¥3,858.3963
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
- CGHV59070F
- MACOM
-
1:
¥6,072.846
-
79库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV59070F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
|
|
79库存量
|
|
|
¥6,072.846
|
|
|
¥5,329.2269
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频放大器 MMIC, GaN, 28V, 2W, DC-6.0GHz, 440219 PK
- CMPA0060002F1
- MACOM
-
1:
¥3,153.5023
-
110库存量
-
100预期 2026/7/31
|
Mouser 零件编号
941-CMPA0060002F1
|
MACOM
|
射频放大器 MMIC, GaN, 28V, 2W, DC-6.0GHz, 440219 PK
|
|
110库存量
100预期 2026/7/31
|
|
|
¥3,153.5023
|
|
|
¥2,799.0552
|
|
|
¥2,710.1242
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频放大器 MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
- CMPA0530002S
- MACOM
-
1:
¥1,026.6841
-
383库存量
|
Mouser 零件编号
941-CMPA0530002S
|
MACOM
|
射频放大器 MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
|
|
383库存量
|
|
|
¥1,026.6841
|
|
|
¥880.7672
|
|
|
¥832.2111
|
|
|
¥804.0741
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
|
|
|
|
栅极驱动器 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZR
- LMG3422R030RQZT
- Texas Instruments
-
1:
¥231.0285
-
606库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3422R030RQZT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZR
|
|
606库存量
|
|
|
¥231.0285
|
|
|
¥186.1901
|
|
|
¥175.0257
|
|
|
¥164.1099
|
|
|
¥159.9741
|
|
|
查看
|
|
|
¥156.3355
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
250
|
|
|
|
|
栅极驱动器 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
- LMG3422R050RQZT
- Texas Instruments
-
1:
¥171.8843
-
123库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3422R050RQZT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
|
|
123库存量
|
|
|
¥171.8843
|
|
|
¥137.2272
|
|
|
¥128.5375
|
|
|
¥120.0173
|
|
|
¥111.0903
|
|
|
¥107.1127
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
250
|
|
|
|
|
栅极驱动器 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
- LMG3425R050RQZR
- Texas Instruments
-
1:
¥179.2406
-
2,000库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3425R050RQZR
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥179.2406
|
|
|
¥142.0184
|
|
|
¥132.7637
|
|
|
¥122.5824
|
|
|
查看
|
|
|
¥114.6498
|
|
|
¥116.8759
|
|
|
¥114.808
|
|
|
¥114.6498
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
电流隔离式栅极驱动器 Automotive 2.5kVrms 4A/6A dual-channel A A 595-UCC20225AQNPLTQ1
- UCC20225AQNPLRQ1
- Texas Instruments
-
1:
¥49.3019
-
2,811库存量
|
Mouser 零件编号
595-UCC20225AQNPLRQ1
|
Texas Instruments
|
电流隔离式栅极驱动器 Automotive 2.5kVrms 4A/6A dual-channel A A 595-UCC20225AQNPLTQ1
|
|
2,811库存量
|
|
|
¥49.3019
|
|
|
¥37.5499
|
|
|
¥34.6571
|
|
|
¥31.3462
|
|
|
¥30.7699
|
|
|
¥26.1369
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|