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onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET
08/08/2025
具备卓越的效率、快速开关能力和强大的热性能。
onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
05/22/2025
最大76mΩ，在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
02/20/2025
专为快速开关应用而设计，性能可靠。
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
02/20/2025
在VGS = 20V时，典型RDS(on)为53mΩ，性能卓越。
onsemi NTH4L018N075SC1 N沟道SiC MOSFET
onsemi NTH4L018N075SC1 N沟道SiC MOSFET
08/14/2024
低导通电阻、750V M2 EliteSiC MOSFET，采用紧凑型TO247-4L封装。
onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET
onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET
08/14/2024
采用M3S平面技术，用于快速开关应用，采用D2PAK-7L封装。
onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
08/06/2024
具有650V额定阻断电压、153pF输出电容，采用TO-247-4L封装。
onsemi 650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET
onsemi 650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET
05/29/2024
与硅器件相比，该技术可提供出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi 热泵
onsemi 热泵
03/01/2024
热泵是全球向安全和可持续加热转变的基石。
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET
02/28/2024
650V、60mΩ（典型值）、47A单N沟道MOSFET，采用紧凑、高效的设计。
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
02/28/2024
具有高效率、更快的工作频率和更高的功率密度。 
onsemi NVHL025N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
onsemi NVHL025N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
02/23/2024
EliteSiC 25mΩ 、650V MOSFET，具有出色的开关性能。
onsemi NVHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
onsemi NVHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
02/21/2024
采用EliteSiC技术，具有出色的开关性能。
onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC汽车用碳化硅MOSFET
onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC汽车用碳化硅MOSFET
01/30/2024
1200V M3S平面碳化硅MOSFET优化用于快速开关应用。
onsemi UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET
onsemi UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET
01/09/2024
1200V、23mΩ G4 SiC FET基于独特的级联电路配置。
onsemi NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
11/13/2023
高性能器件，具有出色的特性。
onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
11/13/2023
采用先进技术，可实现更好的开关性能和可靠性。
onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
09/19/2023
1200V M3S平面EliteSiC MOSFET设计用于快速开关应用。
onsemi 栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET
onsemi 栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET
05/09/2023
完整的栅极驱动器和EliteSiC MOSFET产品组合，配对使用时可提高散热性能。
onsemi EliteSiC
onsemi EliteSiC
03/15/2023
可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。
onsemi NVBG025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVBG025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
03/10/2023
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
03/10/2023
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
02/06/2023
为能源和工业驱动应用提供可靠、高效的性能。
onsemi NVH4L015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVH4L015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
01/11/2023
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
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    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
    Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
    Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
    11/20/2025
    These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
    ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
    ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
    10/17/2025
    这款设备可提升开关频率，减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFET
    10/09/2025
    具有更好的热性能、更高的功率密度和更高的可靠性。
    Microchip Technology 1200V sic mosfet
    Microchip Technology 1200V sic mosfet
    09/25/2025
    MOSFET解决方案更轻、更紧凑，且具有高效率和快速的切换速度。
    IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET
    IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET
    09/19/2025
    这些器件具有高阻断电压和低导通电阻[RDS(ON)]。
    IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET
    IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET
    08/27/2025
    高达1200V的阻断电压，具有18mΩ或36mΩ低RDS(on) 。
    ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
    ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
    08/21/2025
    一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
    onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET
    onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET
    08/08/2025
    具备卓越的效率、快速开关能力和强大的热性能。
    ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET
    ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET
    07/14/2025
    具备1200V VDS、低导通电阻、快速开关速度以及快速恢复时间。
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    06/23/2025
    专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    06/03/2025
    汽车级和工业级MOSFET，最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ。
    onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    05/22/2025
    最大76mΩ，在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    05/06/2025
    Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
    Wolfspeed 1700V碳化硅MOSFET
    Wolfspeed 1700V碳化硅MOSFET
    04/17/2025
    为下一代电源转换提供更高的开关、系统效率和功率密度。
    IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
    IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
    03/06/2025
    单开关MOSFET，设有1200V、30mΩ 、79A工业级器件，采用TO263-7L封装。
    IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
    IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
    03/06/2025
    单开关MOSFET，设有1200V、80mΩ 、41A工业级器件，采用TO263-7L封装。
    onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    02/20/2025
    在VGS = 20V时，典型RDS(on)为53mΩ，性能卓越。
    onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
    onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
    02/20/2025
    专为快速开关应用而设计，性能可靠。
    IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
    02/18/2025
    1200V、80mΩ和41A MOSFET，建议用于工业开关模式电源。
    IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
    02/18/2025
    1200V、30mΩ和79A MOSFET，建议用于工业开关模式电源。
    Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
    Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
    02/18/2025
    Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
    SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET分立器件
    SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET分立器件
    01/02/2025
    Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
    Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    09/06/2024
    Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
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