最新GaN 场效应晶体管

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Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02/26/2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor GaNFast™功率IC

03/01/2023

- 具有集成栅极驱动、宽范围VCC、PWM输入和内部2kV ESD保护等特性。

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Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）

03/20/2026

- 一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。

Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关

03/17/2026

- 该系列器件非常适合用作各种应用的电池断路开关。

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

03/09/2026

- 设计用于满足L频带应用需求，工作频率范围为1.0GHz至1.5GHz。

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02/26/2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管

01/20/2026

- 一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。

Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管

01/19/2026

- 一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。

Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管

01/19/2026

- 25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。

STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管

12/04/2025

- 电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。

STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管

11/07/2025

- 基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。

STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管

10/28/2025

- 电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。

Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors

08/18/2025

- Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.

Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT

07/03/2025

- 40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET

07/03/2025

- 常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

07/01/2025

- 这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装，使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管

05/02/2025

- 设计工作在高频下具有出色的效率，使超快速开关成为可能。

Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET

04/14/2025

- 40V、8.0mΩ双向GaN HEMT，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm WLCSP封装。

Infineon Technologies CoolGaN™ G3晶体管

04/10/2025

- 设计用在高功率密度应用中提供优异的性能。

ROHM Semiconductor GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT

01/10/2025

- 专为高性能电源转换应用而设计。

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5晶体管

12/20/2024

- 采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。

MACOM GaN on SiC Transistors

11/26/2024

- Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

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昴氏(上海)电子贸易有限公司

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