分离式半导体类型
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Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
11/24/2025
设计用于在紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸格式中提供浪涌和ESD保护。
Bourns SMF4C和SMF4C-Q TVS二极管
Bourns SMF4C和SMF4C-Q TVS二极管
07/03/2025
保护各种电子设备免受电感负载开关引起的电压瞬变。
Bourns PTVS3-066C-TH大电流功率TVS二极管
Bourns PTVS3-066C-TH大电流功率TVS二极管
04/30/2025
3kA、8/20µs浪涌能力二极管，设计用在大功率直流总线钳位应用中。
Bourns PTVS1-240C-M大电流TVS二极管
Bourns PTVS1-240C-M大电流TVS二极管
08/30/2024
一款双向二极管，设计用于大功率直流总线保护和钳位应用。
Bourns 电气化解决方案
Bourns 电气化解决方案
12/20/2023
变压器、扼流圈、电阻器及其他专为电气化系统设计的产品。
Bourns BSD碳化硅肖特基势垒二极管
Bourns BSD碳化硅肖特基势垒二极管
06/26/2023
提高DC-DC和AC-DC转换器的可靠性、开关性能和效率。
Bourns PTVS20-015C-H大电流TVS二极管
Bourns PTVS20-015C-H大电流TVS二极管
12/27/2022
具有符合IEC 61000-4-5标准的20kA、8/20µs的浪涌能力以及1V重复关态电压。
Bourns PTVS20-015C-TH 大电流 PTVS 二极管
Bourns PTVS20-015C-TH 大电流 PTVS 二极管
10/04/2022
用于大功率直流总线钳位应用，具有通孔类型和20kA、8/20µs浪涌能力。
Bourns PTVS1-0xC-H大电流功率TVS二极管
Bourns PTVS1-0xC-H大电流功率TVS二极管
08/05/2022
为PoE器件和大功率直流总线应用提供ESD保护，以防止大电流浪涌。
Bourns Model BID绝缘栅双极晶体管
Bourns Model BID绝缘栅双极晶体管
08/05/2022
具有较低集电极-发射极饱和电压和更低开关损耗的IGBT。
Bourns CD0201-T2.0LC超低电容TVS二极管
Bourns CD0201-T2.0LC超低电容TVS二极管
05/24/2022
专为保护超高速数据线路而定制，额定电容仅为0.18pF。
Bourns 电路保护设备
Bourns 电路保护设备
04/05/2022
包括自恢复保险丝、热敏电阻器、压敏电阻器、气体放电管 (GDT) 等。
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Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
02/06/2026
高性能160A、1600V设备，采用平面钝化芯片结构，PLUS247封装。 
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02/03/2026
Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
02/03/2026
可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
01/20/2026
一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
IXYS DP高压快速恢复二极管
IXYS DP高压快速恢复二极管
01/20/2026
600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
01/13/2026
保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
01/08/2026
提供超低电容、双向传输和电平保护。
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
12/23/2025
凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
12/19/2025
专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
12/01/2025
DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11/24/2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
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