分离式半导体类型
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Diodes Incorporated 5.0SMCJ1xCA 5000W瞬态电压抑制器
Diodes Incorporated 5.0SMCJ1xCA 5000W瞬态电压抑制器
10/31/2025
一款高功率TVS二极管，旨在保护敏感电子电路免受电压尖峰的影响。
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
10/31/2025
具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
10/21/2025
具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
Diodes Incorporated DTH1006P5玻璃钝化快速恢复整流器
Diodes Incorporated DTH1006P5玻璃钝化快速恢复整流器
10/13/2025
一款600V峰值重复反向电压 (VRRM) 整流器，采用热效率高的PowerDI®5封装。
Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管
Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管
09/18/2025
PNP双极晶体管采用小尺寸、热效率高的PowerDI 3333-8封装。
Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管
Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管
09/17/2025
提供小尺寸、散热效率高的PowerDI 3333-8封装，适用于高密度产品。
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管
07/24/2025
额定电压为30V、60V和100V，具有出色的导通效率和热性能。
Diodes Incorporated TT8M 8A玻璃钝化桥式整流器
Diodes Incorporated TT8M 8A玻璃钝化桥式整流器
05/01/2025
最大重复峰值反向电压为1000V，平均整流输出电流为8A。
Diodes Incorporated DSCxA065LP碳化硅肖特基二极管
Diodes Incorporated DSCxA065LP碳化硅肖特基二极管
02/20/2025
采用DFN8080封装，在高温条件下具有出色的反向漏电稳定性。
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
11/14/2024
采用专有结构，可实现超低VCE(SAT) 性能。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
10/01/2024
采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
08/01/2024
20V N沟道MOSFET专为最小化导通电阻RDS(ON)）而设计，采用X2-DFN0806-3封装。
Diodes Incorporated DT1042-02SRQ双通道低电容TVS二极管阵列
Diodes Incorporated DT1042-02SRQ双通道低电容TVS二极管阵列
07/01/2024
专为保护敏感电子设备免受ESD损坏而设计。
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET
06/24/2024
设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated SxCMHQ AEC-Q101玻璃钝化整流器
Diodes Incorporated SxCMHQ AEC-Q101玻璃钝化整流器
06/04/2024
具有大电流能力和低正向电压降。
Diodes Incorporated DESD24VS2SOQ 24V CAN/LIN总线保护器
Diodes Incorporated DESD24VS2SOQ 24V CAN/LIN总线保护器
06/01/2024
一款ESD和浪涌保护设备，采用紧凑型表面贴装SOT23封装。
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
05/01/2024
在保持开关性能的同时，具有低导通电阻和低栅极阈值电压。
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
05/01/2024
采用紧凑型DFN2020-3封装，其占位面积比SOT-23封装小50%。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
04/01/2024
设计用于将导通电阻[RDS(ON)]降至最低，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated US1NDFQ 1A表面贴装超快速整流器
Diodes Incorporated US1NDFQ 1A表面贴装超快速整流器
03/01/2024
具有超快恢复时间，可在一般整流应用中实现高效率。
Diodes Incorporated DESDxxVxS2UTQ双通道单向TVS二极管
Diodes Incorporated DESDxxVxS2UTQ双通道单向TVS二极管
01/01/2024
专为保护敏感电子设备免受ESD引起的损坏而设计。
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
01/01/2024
具有低导通电阻和低输入电容，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
06/02/2023
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
03/30/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，能够尽可能降低导通损耗。
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    Vishay 3KDFN12CA thru 3KDFN100CA TVS Diodes
    Vishay 3KDFN12CA thru 3KDFN100CA TVS Diodes
    03/02/2026
    Transzorb® TVS diodes, designed to protect sensitive electronics from voltage spikes.
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02/26/2026
    Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02/26/2026
    Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    02/26/2026
    Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
    Littelfuse SC3402-02ETG ESD保护二极管
    Littelfuse SC3402-02ETG ESD保护二极管
    02/23/2026
    超低电容ESD保护二极管，旨在保护高速数据接口。
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    02/19/2026
    Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™单线53V EOS保护IC
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™单线53V EOS保护IC
    02/18/2026
    与标准TVS设备相比，该设备具有更高的能量EOS保护能力，温度和钳位特性更优。
    Vishay SE45124/SE50124 SMD高压整流器
    Vishay SE45124/SE50124 SMD高压整流器
    02/17/2026
    此系列设备具有出色的散热性能和高浪涌电流能力。
    Vishay KBPE0480单相直列桥式整流器
    Vishay KBPE0480单相直列桥式整流器
    02/16/2026
    此系列设备具有低正向压降，采用KBP封装。
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    02/10/2026
    这些设备采用高度仅为0.88mm的薄型封装。
    Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
    Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
    02/06/2026
    高性能160A、1600V器件，在PLUS247封装内采用平面被动芯片结构。
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
    02/05/2026
    高效低损耗的功率设备，旨在取代传统的二极管。
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    02/03/2026
    可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    IXYS X4级功率MOSFET
    IXYS X4级功率MOSFET
    02/02/2026
    导通电阻和导通损耗低，效率更高。
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    01/20/2026
    600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    01/20/2026
    一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    01/13/2026
    保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    01/08/2026
    提供超低电容、双向传输和电平保护。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
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