STMicroelectronics 最新GaN 场效应晶体管

已应用过滤器:
制造商 = STMicroelectronics 返回“产品”选项卡，以修改您的当前过滤条件。

STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
10/28/2025
电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。
查看：3 的 1 - 3

Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
01/20/2026
一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
10/28/2025
电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08/18/2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
07/01/2025
这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装，使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
05/02/2025
设计工作在高频下具有出色的效率，使超快速开关成为可能。
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
04/14/2025
40V、8.0mΩ双向GaN HEMT，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm WLCSP封装。
Infineon Technologies CoolGaN™ G3晶体管
Infineon Technologies CoolGaN™ G3晶体管
04/10/2025
设计用在高功率密度应用中提供优异的性能。
ROHM Semiconductor GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT
ROHM Semiconductor GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT
01/10/2025
设计用于高性能电源转换应用。
Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5晶体管
Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5晶体管
12/20/2024
采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。
MACOM GaN on SiC Transistors
MACOM GaN on SiC Transistors
11/26/2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power. 
Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管
Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管
11/12/2024
采用高效GaN晶体管技术，可用于电压高达650V的功率转换。
Nexperia GANB4R8-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB4R8-040CBA双向GaN FET
10/01/2024
一款40V、4.8mΩ 双向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用WLCSP封装。
Qorvo QPD1035 GaN射频功率晶体管
Qorvo QPD1035 GaN射频功率晶体管
09/12/2024
40W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率范围为直流至6GHz，工作采用50V电源。
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
07/23/2024
Designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range.
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET
07/02/2024
一款采用VQFN封装的通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率晶体管
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4功率晶体管
05/27/2024
设计具有低Rth(j-c)，用于大功率应用和电源的高效开关。
Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET
Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET
03/15/2024
50mΩ氮化镓 (GaN) 常关器件，采用4引线TO-247封装。
Renesas Electronics TP65H070G4RS 650 V SuperGaN® FET采用托尔特封装
Renesas Electronics TP65H070G4RS 650 V SuperGaN® FET采用托尔特封装
02/22/2024
RDS(on)为72mΩ，采用符合JEDEC标准（MO-332）的顶部冷却表面贴装TOLT封装。
Nexperia GAN039 CCPAK1212封装功率GaN FET
Nexperia GAN039 CCPAK1212封装功率GaN FET
12/20/2023
采用铜夹封装技术，电感/开关损耗低并且具有高可靠性。
查看：30 的 1 - 25