STMicroelectronics GaN 场效应晶体管

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 711库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 327库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
1,000预期 2026/6/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 交货期 62 周
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement