NXP AFT09MS031N 系列 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V 487库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V 无库存交货期 10 周
最低: 500
倍数: 500
卷轴: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel