MRFE6VP6 50V RF LDMOS功率晶体管

Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25HMRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率晶体管设计用于高VSWR应用。MRFE6VP61K25H的输出功率电平为1250W,使其适用于坚固的应用。Freescale Semiconductor MRFE6VP61K25H RF LDMOS功率晶体管增强的牢固性使设计人员能够移去之前需要的外部电路,降低总体系统成本的同时又提高了性能。MRFE6VP61K25H设计用于支持高度失配应用中的严苛环境,比如等离子发生器、CO2 激光器和MRI功率放大器。Freescale MRFE6VP6300H 50V RF LDMOS功率晶体管专为运行频率为1.8-600MHz的应用而设计,针对在CO2激光器、等离子发生器和MRI 功率放大器阻抗失配时的使用进行了优化。MRFE6VP6300H是第一款以65:1 VSWR输出300 W连续波(CW)额定输出全功率的50V LDMOS晶体管
了解更多

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 工作频率 增益 输出功率 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 527库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 26.5 dB 300 W + 150 C Screw Mount NI-780-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H 50库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

N-Channel Si 2 A 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel