AFT27S006N 系列 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
数据表
1,248库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S006N-1000M
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W