MHT1803 系列 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
NXP Semiconductors MHT1803B
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L 368库存量
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 300 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V 无库存交货期 14 周
最低： 240
倍数： 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube