射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Guerrilla RF GRF0020D
Guerrilla RF 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V, DC - 7GHz, 30W GaN HEMT, Bare Die
GaN-on-SiC 1.27 mA 150 V 0 Hz to 7 GHz 30 W + 225 C SMD/SMT Waffle
Guerrilla RF GRF0030D
Guerrilla RF 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V, DC - 6.0GHz, 50W GaN HEMT, Bare Die
GaN-on-SiC 1.93 mA 150 V 0 Hz to 7 GHz 50 W + 225 C SMD/SMT Waffle