RF晶体管

结果: 901
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
资格
封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 240
倍数： 240

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.25 mm Pwr pHEMT 无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.40 mm Pwr pHEMT 无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF JFET Transistors 0.41 mm x 0.34 mm pHEMT GaAs 13 dB Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.60 mm Pwr pHEMT 无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.80mm Pwr pHEMT 交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.20mm Pwr pHEMT 交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100

RF JFET Transistors pHEMT Tray
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.60mm Pwr pHEMT 无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF JFET Transistors pHEMT Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 500
倍数： 500
卷轴: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270WB-4 Si 764 MHz to 940 MHz 57 W - 40 C + 150 C 17.5 dB Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 500
倍数： 500
卷轴: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-2 Si 764 MHz to 941 MHz 32 W - 40 C + 150 C 15.7 dB Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT OM-1230G-4 Si 1.8 MHz to 500 MHz 1.5 kW - 40 C + 150 C 23 dB Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
数据表
交货期 16 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-1230H-4S Si 1.8 MHz to 500 MHz 1.5 kW - 40 C + 150 C 23.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-780 Si 960 MHz to 1.215 GHz 275 W + 150 C 20.3 dB Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-780S Si 1.2 GHz to 1.4 GHz 330 W + 150 C 18 dB Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 150
倍数： 150
卷轴: 150

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-1230H-4 Si 1.8 MHz to 600 MHz 1.25 kW + 150 C 24 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 2 MHz to 175 MHz 120 W 13 dB
MACOM 射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 500
倍数： 500

RF Bipolar Transistors 355J-2 Bipolar Power Si 1.15 GHz - 65 C + 200 C
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 200 MHz 80 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 333-04 Si 500 MHz 100 W - 65 C + 150 C 8.8 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,20-500MHz,28V,10W
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Screw Mount Ceramic-2 Bipolar Si 2.7 GHz to 2.9 GHz 110 W + 200 C
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20
RF MOSFET Transistors SMD/SMT 319-07 Si 100 MHz to 500 MHz 40 W - 55 C + 150 C 10 dB Tray
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 25 dBm + 150 C 16 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 28.5 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 21.5 dBm + 150 C 14 dB Bulk