STMicroelectronics 碳化硅MOSFET

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
数据表
640库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101

STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
数据表
502库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
数据表
600预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
数据表
100在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
无库存交货期 17 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
数据表
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
数据表

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
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