TO-247-3 半导体

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247 584库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS MOSFET 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247 551库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba MOSFET 600V DTMOS6 TO-247 40mohm 471库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK 431库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 45

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L COPACK 1,377库存量
1,800预期 2026/8/18
最低: 1
倍数: 1
最大: 420

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 450库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 45

Panjit 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor 900库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH30N120C4H1 288库存量
最低: 1
倍数: 1

Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L 5,811库存量
最低: 1
倍数: 1

Bourns 碳化硅肖特基二极管 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3 2,913库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 881库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS? 53库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba MOSFET 600V DTMOS6 TO-247 80mohm 149库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba MOSFET 600V DTMOS6 TO-247 125mohm 135库存量
最低: 1
倍数: 1

Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW60T65M3DFP/SOT429/TO-247 239库存量
最低: 1
倍数: 1
: 30

Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW75T65H3DF/SOT429/TO-247 303库存量
最低: 1
倍数: 1

APC-E 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade 244库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 945库存量
最低: 1
倍数: 1
Vishay SCR RECT 1.2KV 100A SCR AUTO 449库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 784库存量
最低: 1
倍数: 1


onsemi MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS 6,576库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 60


Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 23,213库存量
9,360预期 2026/7/2
最低: 1
倍数: 1


Vishay Semiconductors MOSFET TO247 500V 20A N-CH MOSFET 6,379库存量
最低: 1
倍数: 1


Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC 11,616库存量
最低: 1
倍数: 1


Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 23,727库存量
最低: 1
倍数: 1