GaN 半导体

结果: 797
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Power Integrations 交流/直流转换器 135 W (85-264 VAC) 1,523库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

Power Integrations 交流/直流转换器 220 W (85-264 VAC) 1,786库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 12,254库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3 4,664库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6 10,867库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V 320库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN 48库存量
50预期 2026/7/20
最低: 1
倍数: 1

Qorvo 射频放大器 8-11 GHz GaN LNA 72库存量
100预期 2026/7/23
最低: 1
倍数: 1
: 100

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 123库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 496库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange 59库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 887库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W 30库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN 37库存量
30预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt 72库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2,660库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 280库存量
160预期 2026/11/30
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
20库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt 75库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 529库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 311库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt 79库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频放大器 MMIC, GaN, 28V, 2W, DC-6.0GHz, 440219 PK 110库存量
100预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频放大器 MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4 383库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

Texas Instruments 栅极驱动器 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZR 606库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250