GAN3R2-100CBEAZ

Nexperia
771-GAN3R2-100CBEAZ
GAN3R2-100CBEAZ

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 SOT8072 100V 60A FET

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,521

库存：
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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥39.5387 ¥39.54
¥25.9674 ¥259.67
¥18.3625 ¥1,836.25
¥15.9669 ¥7,983.45
¥14.3962 ¥14,396.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥13.7295 ¥20,594.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Nexperia
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
WLCSP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
3.2 mOhms
- 6 V, + 6 V
2.5 V
12 nC
- 40 C
+ 150 C
394 W
Enhancement
商标: Nexperia
配置: Single
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
技术: GaN
零件号别名: 934665899341
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FET的电压范围为100V至650V，具有出色的开关性能。该款GaN FET（氮化镓场效应晶体管）具有极低的QC（栅极电荷）和QOSS（输出电荷），使其能够进行高速运转，进而实现出色的功率效率。

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