结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
IXYS MOSFET模块 650V/108A Ultra Junction X2-Class
数据表
254库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 108 A 24 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 890 W 650V Ultra Junction X2 Tube
IXYS MOSFET模块 650V/145A Ultra Junction X2-Class
数据表
561库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 17 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 1.04 mW 650V Ultra Junction X2 Tube
IXYS MOSFET模块 650V/78A miniBLOC SOT-227
数据表
100库存量
300预期 2026/10/20
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 30 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 595 W 650V Ultra Junction X2 Tube