IXFN20N120 系列 MOSFET模块

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
IXYS MOSFET模块 20 Amps 1200V 0.6 Rds
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 300
倍数： 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, + 30 V 6.5 V - 55 C + 150 C 595 W IXFN20N120 Tube
IXYS MOSFET模块 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 750 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 780 W IXFN20N120 Tube