工业驱动器

英飞凌工业驱动器提供各种高效半导体，优化用于电机驱动器。设计人员可以依靠英飞凌智能功率模块 (IPM) 和分立元件实现低功耗范围内智能设计。对于中等功率驱动器，英飞凌EasyPIM™、EasyPACK™和EconoPIM™模块完美匹配。实现高功率频谱，EconoDUAL™和PrimePACK™是最佳解决方案。这些与创新的.XT互连技术结合在一起。PrimePACK模块可通过提高热循环和功率循环能力来延长使用寿命，从而帮助设计人员走出高估的困境。

结果: 8
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT Module 1400A 1700V
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 PP IHM I
数据表
112库存量
90预期 2026/6/11
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 100 A PIM IGBT module
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT Module 450A 1700V
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module
数据表
20预期 2026/4/28
最低： 1
倍数： 1
否
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 10 A PIM IGBT module
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray