采用D2-PAK封装的UF3C碳化硅FET

Qorvo UF3C碳化硅FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装,基于独特的共源共栅电路配置,具有出色的反向恢复性能。在共源共栅电路配置中,常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装,形成常关型SiC FET器件。这些碳化硅FET具有低体二极管、低栅极电荷和4.8V阈值电压,可实现0V至15V驱动。这些D2-PAK碳化硅FET器件具有ESD保护功能,封装爬电距离和电气间隙为 >6.1mm。场效应晶体管的标准栅极驱动特性可直接替代Si IGBT、硅场效应晶体管、SiC MOSFET或Si超级结。它们有1200V和650V漏源击穿电压型号可供选择,非常适用于任何受控环境,如电信和服务器电源、工业电源、电机驱动器和感应加热。

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7 781库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 210库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1,262库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 460库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 1,956库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 1,341库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 412库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263-3 210库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 41 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET