碳化硅MOSFET

Littelfuse碳化硅MOSFET优化用于高频、高效率应用。这些坚固的碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,具有超低导通电阻。Littelfuse提供内部设计、开发和制造的碳化硅MOSFET,这些器件具有极低的栅极电荷和输出电容,在所有温度范围内具有业界领先的性能和耐用性,还具有超低导通电阻。现可供应电压为1200V的80mΩ、120mΩ和160mΩ版本。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET 4,196库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS 碳化硅MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet 548库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC 1,927库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement