80V N沟道U-MOS X-H MOSFET

Toshiba 80V N沟道U-MOS X-H MOSFET提供高速开关、低栅极电荷和低功耗。U-MOS X-H MOSFET提供出色的漏源导通电阻 (RDS(ON) x) 传输电阻 x 输入电容 (Ciss)值,从而实现高导电性和低栅极驱动器损耗。减小的输出电容(COSS)降低了输出电荷(Q OSS),从而提高了这些器件的开关效率。这些MOSFET适用于开关稳压器、电机驱动器和高效DC-DC转换器。

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm 894库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm 5,576库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm 8,699库存量
10,000预期 2026/6/16
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm 263库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm 488库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm 435库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
4,935预期 2026/9/23
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
9,979在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
250预期 2026/6/16
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
150预期 2026/8/31
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube