结果: 7
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Vgs - 栅极-源极电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C
数据表
188库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT PDFN-12 1 Channel 84 V 1.4 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C 8 W
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440109-2 1 Channel 84 V 750 mA - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 4.6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor,GaN,10W,DC-6GHz,3.6mm,Flange
数据表
80预期 2026/5/5
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 84 V 4.6 A - 10 V,+ 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5
数据表

SMD/SMT 440223 1 Channel 84 V 12 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 65 C
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5
数据表

SMD/SMT 440223 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C