6 GHz GaN 场效应晶体管

结果: 32
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
数据表
产品评论
660库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C
数据表
1,010库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT PDFN-12 1 Channel 84 V 1.4 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C 8 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
数据表
90库存量
最低： 1
倍数： 1
: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 4.6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440166 1 Channel 84 V 6 A - 10 V, + 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN 场效应晶体管 Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
数据表
50库存量
最低： 10
倍数： 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 4.5 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz
数据表
45库存量
最低： 1
倍数： 1
: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
数据表
272库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
数据表
123库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
数据表
2,315库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
数据表
170库存量
640在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
数据表
75库存量
最低： 1
倍数： 1

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

NI-200
MACOM GaN 场效应晶体管 10W, 6.0GHz, GaN HEMT G28V4 (CG2H40010P)
数据表
86库存量
最低： 1
倍数： 1

MACOM GaN 场效应晶体管 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange
数据表
34库存量
35预期 2026/8/7
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 35 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
数据表
5库存量
1,920在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
数据表
385预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
数据表
927在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
数据表
1,948在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
数据表
40预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
MACOM GaN 场效应晶体管 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
数据表
117预期 2026/11/17
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440196 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 100
倍数： 100

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 80
倍数： 80

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C