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STMicroelectronics 碳化硅MOSFET

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结果: 69

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封装 / 箱体

晶体管极性

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A SCT014HU65G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT014HU65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT014HU65G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package SCT014TO65G3 STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT014TO65G3 Mouser 零件编号 511-SCT014TO65G3 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT018H65G3-7 Mouser 零件编号 511-SCT018H65G3-7 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	H2PAK-7	N-Channel	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	-10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A SCT018HU65G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT018HU65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT018HU65G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	HU3PAK-7	N-Channel	1 Channel	650 V	60 A	29 mOhms	-10 V, 22 V	4.2 V	82.5 nC	- 55 C	+ 175 C	388 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A SCT018W65G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT018W65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT018W65G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A	数据表	受限供货情况	Through Hole	HiP247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	-10 V, 22 V	4.2 V	76 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package SCT019W120G3-4AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT019W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT019W120G3-4AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package	数据表	受限供货情况	Through Hole	HiP247-4	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	90 A	26 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	120 nC	- 55 C	+ 200 C	486 W
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A SCT020H120G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT020H120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT020H120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4 STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT025W120G3-4 Mouser 零件编号 511-SCT025W120G3-4 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package	数据表	受限供货情况	Through Hole	HiP247-4	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	-10 V, 22 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package SCT027TO65G3 STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT027TO65G3 Mouser 零件编号 511-SCT027TO65G3 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3 STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT040W120G3 Mouser 零件编号 511-SCT040W120G3 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package	数据表	受限供货情况	Through Hole	HiP247-3	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	-10 V, 22 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A SCT070W120G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT070W120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT070W120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package SCTHC250N120G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCTHC250N120G3AG Mouser 零件编号 511-SCTHC250N120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package	数据表	受限供货情况	Through Hole	STPAK-4	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	239 A	10.5 nC	- 10 V, + 22 V	4.4 V	304 nC	- 55 C	+ 200 C	994 W
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A SCTHCT250N12G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCTHCT250N12G3AG Mouser 零件编号 511-SCTHCT250N12G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A	数据表	受限供货情况	Through Hole		N-Channel	1 Channel	1.2 kV	239 A	10.5 mOhms	-10 V, 22 V	4.4 V	304 nC	- 55 C	+ 200 C	994 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A STMicroelectronics SCT012HU90G3AG SCT012HU90G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT012HU90G3AG Mouser 零件编号 511-SCT012HU90G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an STMicroelectronics SCT019H120G3AG SCT019H120G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT019H120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT019H120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics SCT040H65G3-7 SCT040H65G3-7 STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT040H65G3-7 Mouser 零件编号 511-SCT040H65G3-7 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics SCT040W65G3AG SCT040W65G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT040W65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT040W65G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics SCT055H65G3-7 SCT055H65G3-7 STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT055H65G3-7 Mouser 零件编号 511-SCT055H65G3-7 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package	数据表	受限供货情况
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics SCT055H65G3AG SCT055H65G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT055H65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT055H65G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息	数据表	受限供货情况