Bulk 射频晶体管

结果: 64
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
90库存量
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 32 dBm + 150 C 9 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
201库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W + 200 C 14 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
51库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 30 dBm + 150 C 11 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 28 dBm + 150 C 12 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 20 dBm + 150 C 8 dB, 11 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 28 dBm + 150 C 13 dB Bulk


MACOM 射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si Bulk
Central Semiconductor BFY90 PBFREE
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 . .
数据表
1,396库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Through Hole Bipolar Si 500 MHz - 65 C + 200 C Bulk


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
数据表
260库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
30库存量
550预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 230 MHz 150 W + 150 C 15 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC244B Si 250 MHz 350 W - 65 C + 150 C 21 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 19 dB Bulk


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 175 W + 200 C 15 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 30 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 30.5 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
数据表
2,679库存量
最低： 1
倍数： 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
数据表
493库存量
1,090预期 2026/6/29
最低： 1
倍数： 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
数据表
118库存量
最低： 1
倍数： 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
CEL CE3520K3
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
数据表
85库存量
200预期 2026/6/26
最低： 1
倍数： 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
数据表
220预期 2026/7/6
最低： 1
倍数： 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 150 MHz 175 W - 65 C + 150 C 21.3 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 200 MHz 350 W - 65 C + 150 C 29 dB Bulk