射频晶体管

 射频晶体管
射频晶体管(RF Transistor),应有尽有。Mouser Electronics(贸泽电子)是众多射频晶体管原厂的授权代理商,提供多家业界知名制造商的射频晶体管,包括Infineon、M/A-COM、NXP、ON Semiconductor, STMicroelectronics等。想了解更多射频晶体管产品,请浏览下列产品分类。
结果: 903
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 资格 封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz 18库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 1 GHz 120 W + 200 C 20 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor 9,945库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-323-3 Bipolar Wideband Si 11 GHz 10 dBm - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
MACOM MRF175GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS 5库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 26库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
onsemi 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V F 7,000库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 8,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-623-3 Bipolar Si 7 GHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source 27库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 60 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
MACOM MRF10031
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,38V,9pk 15库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors 332A-3 Bipolar Power Si 1.215 GHz - 65 C + 200 C
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 90库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
Microchip Technology MDS800
Microchip Technology 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor 3库存量
最低: 1
倍数: 1
RF Bipolar Transistors Si

Comchip Technology 射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA 2,847库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

RF Bipolar Transistors Bipolar Power Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor BFY90 PBFREE
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 . . 1,456库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Through Hole Bipolar Si 500 MHz - 65 C + 200 C Bulk
MACOM MAPRST0912-50
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min 2库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Si Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K9FHU/SOT1214/TRAY 190库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT539A-5 LDMOS 1 MHz to 500 MHz 1.9 kW + 225 C 24.6 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY 120库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1214B-5 GaN SiC 2.4 GHz to 2.5 GHz 300 W + 225 C 16 dB Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 1 GHz 400 W + 200 C 19 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981S/SOT467/TRAY 55库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT-467B-2 LDMOS 170 W + 225 C 24 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981/SOT467/TRAY 31库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT-467C-2 LDMOS 170 W + 225 C 24 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL 58库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1 LDMOS 170 W + 225 C 23.8 dB Reel, Cut Tape
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY 511库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539BN-5 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2 kW + 225 C 28.4 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL 87库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

RF MOSFETs SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 LDMOS + 225 C 29 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,<30MHz,50V,150W 231库存量
最低: 1
倍数: 1

RF Bipolar Transistors Si
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor 20库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 1.6 GHz 180 W + 200 C 14 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 3,618库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 370库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor 65库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-1230H-4 Si 1.8 MHz to 400 MHz 1.8 kW - 40 C + 150 C 25.1 dB Reel, Cut Tape