Infineon Technologies CoolMOS™ 7超级结MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7超级结MOSFET为能源效率、功率密度和简单易用设立了新标准。CoolMOS 7技术针对特定应用进行优化，采用创新的封装，集成了各种技术。CoolMOS 7 MOSFET非常适合用于让电动汽车充电站更小巧、输出更高、充电更快的应用。由于CoolMOS 7的出现，新一代适配器和充电器更小巧、更轻盈、更高效。通过CoolMOS 7，工程师可以让可再生能源系统更经济、更高效。

Infineon提供全面的栅极驱动器IC - EiceDRIVER™产品组合，优化用于广泛的应用和多种开关类型，如MOSFET、开尔文源极MOSFET和GaN HEMT。

C7和C7 Gold (G7)

Infineon CoolMOS C7 MOSFET设计用于记录电平效率性能，与先前的CoolMOS系列和竞品相比，在硬开关应用的整个负载范围内都具有巨大的效率优势。C7 MOSFET是技术上的一大进步，不仅R_DS(on)/封装低，而且其开关损耗低，在整个负载范围内提高了效率。C7 MOSFET优化用于太阳能、服务器、电信和UPS等应用中的功率因数校正 (CCM PFC)、双晶体管正激 (TTF) 和太阳能升压等技术。

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Infineon CoolMOS C7 Gold (G7) MOSFET采用创新型无引线SMD TO (TOLL) 封装（采用开尔文源极概念）。G7 MOSFET经过改进的600V和650V CoolMOS G7技术、4引脚开尔文源极功能以及无引线TO封装的更高热性能相结合。这可为高达3kW的大电流硬开关拓扑（如功率因数校正(PFC)）提供SMD解决方案。对于600V CoolMOS G7，MOSFET可用于高端LLC等谐振电路。

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CFD7

Infineon CoolMOS CFD7 MOSFET采用高压超级结MOSFET技术，集成有快速体二极管。CFD7 MOSFET是服务器、电信和电动汽车充电站等大功率SMPS应用的谐振拓扑技术的理想选择。CFD7 具有低栅极电荷 (Qg) 和改进的关断行为，其反向恢复电荷 (Qrr) 比其他MOSFET低69%。CFD7具有市场上最短的反向恢复时间 (trr)。这些特性使得CoolMOS CFD7非常高效，在软开关拓扑结构中具有出色的可靠性。应用包括LLC和ZVS相移全桥。此外，CoolMOS™ CFD7得益于优化的R_DS(on)，可实现更高的功率密度。

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P7

Infineon CoolMOS P7 MOSFET的性价比属同类最佳，简单易用，能够应对各种应用的挑战。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET开发用于反激式低功耗SMPS应用，包括适配器和充电器、照明、音频SMPS、AUX和工业电源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不仅设计用于小功率应用，而且还用于大功率SMPS应用，如太阳能逆变器、服务器、电信和电动汽车充电站。P7 MOSFET经过彻底优化，用于硬开关和软开关拓扑结构。

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