CoolMOS™ G7技术提供低RDS(on),因此可实现更高的效率、更快的开关速度以及更高的功率密度。G7外形小巧,可通过缩短组装时间降低生产成本。
特性
- 同类最佳FOM RDS(on) x Eoss和RDS(on)x QG
- 同类最佳RDS(on),占位极小
- 内置4引脚开尔文源极配置和低寄生源极电感 (~1nH)
- 达到MSL1级、完全不含铅、设有便于目视检查的槽纹引线
- 改善了热性能
- 通过开尔文源极降低了寄生源极电感,从而提高了开关效率和易用性
- TOLL封装简便易用,具有最高质量标准
- 由于改善了热性能,因此SMD TOLL封装可用于大电流的设计
- 650V G7:相比之前的650V CoolMOS™ C7,FOM RDS(on) x QGis提高了14%,实现了更高的效率
- 600V G7:相比之前的600V CoolMOS™ C7,FOM RDS(on) x QGis提高了16%,实现了更高的效率
- 650V G7:出色的功率密度、同类最佳33mΩ、115mm2 TOLL封装
- 600V G7:出色的功率密度、同类最佳28mΩ、115mm2 TOLL封装
应用
- 电信
- 服务器
- 太阳能
- 工业SMPS
发布日期: 2018-04-11
| 更新日期: 2024-08-08

