Infineon Technologies Eval-1ED3144MC12H-SiC 评估板
英飞凌Eval-1ED3144MC12H-SiC评估板允许在半桥配置中演示1ED3144MC12H EiceDRIVER™隔离栅极驱动器IC。该评估板可用于评估EiceDRIVER 1ED314xMC12H栅极驱动器系列中的其他引脚兼容IC，只需更换栅极驱动器IC即可。
英飞凌Eval-1ED3144MC12H-SiC评估板随附两个未组装的IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽MOSFET，封装为TO247-4。任何其他所需开关，如英飞凌IGBT、酷硅或CoolMOS™晶体管，均可替代这些开关。
特性
- 绝对最大输出电源电压：35 V
- 典型输出电流高达±6.5A
- 输出UVLO参考GND2引脚，以双极电源电压实现最佳保护
- 主动关闭
- 极高的共模瞬态免疫能力CMTI > 300kV/us
- 40 ns典型传播延迟
- IC与IC之间的传播延迟严格匹配
- 3.3V和5V输入电源电压
- PG-LDSO-8宽体封装，爬电距离 > 8mm
- 栅极驱动器安全认证：
- UL 1577认可的ViSo，测试 = 6840V（rms），持续1s，Viso = 5700V（rms）,持续60s
- 根据IEC 60747-17标准进行加固隔离，VIORM = 1767V（计划）
应用
- 光伏逆变器 ( (PV)
- 蓄能器和电池充电
- 不间断电源(UPS)
- 开关模式电源 (SMPS)
- 工业驱动器
- 医疗设备
套件内容
- Eval-1ED3144MC12H-SiC 评估板
- 两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽MOSFET用于组装
相关MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET
经过优化，可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。
评估板
Infineon Technologies EVAL-DCLINK-DPT评估板
支持对IGBT和SiC MOSFET等功率半导体器件进行双脉冲测试（DPT）。
方框图
发布日期: 2026-01-28
| 更新日期: 2026-02-02