Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H模块

英飞凌1200V CoolSiC™ M1H模块为电动汽车 (EV) 充电和其他逆变器设计人员提供了机会，使他们能够实现前所未有的效率和功率密度水平。

当碳化硅 (SiC) 半导体用作开关时，允许更高的工作温度和开关频率，同时保持高可靠性，从而提高了整体系统效率。英飞凌1200V SiC MOSFET模块系列得益于其最先进的沟槽设计，可提供出色的栅极氧化物可靠性。

这些电源模块采用行业标准EASY封装，可根据不同应用需求进行定制，有各种R_DSon电平和电路配置可供选择，例如3级、半桥或6组。所有EasyPACK™和EasyDUAL MOSFET电源模块均可通过预涂热界面材料 (TIM) 订购，并提供其他特性。这些简单的模块采用高性能氮化铝 (AlN) 陶瓷，尤其提高了R_thJH的散热性能。

与硅 (Si) 相比，宽带隙碳化硅 (SiC) 半导体具有更高的突破性电场、更显著的导热性能、更高的电子饱和速度和更低的内在载波浓度等优势。碳化硅MOSFET基于这些碳化硅材料优势，可结合用于大功率应用的开关晶体管，例如用于非车载/车载电动汽车 (EV) 充电器的太阳能逆变器。

优点

  •  更高的频率运行n
  •  更高的功率密度
  •  最高效率，减少冷却工作量
  •  降低系统和运营成本
  •  扩展操作条件，提高功率循环能力

特性

开关损耗比Si低约80%
出色的栅极氧化物可靠性
内在体二极管，反向恢复电荷低

高阈值电压V_th> 4V
热耗散能力增强

应用

电动汽车快速充电
太阳能系统
功率逆变器

储能系统
工业应用
UPS

信息图 - Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H模块

可供应产品

FF4MR12W2M1H_B11
- VDSS = 1200V，Rds On = 4mΩ
- IDN = 200A/IDRM = 400A
- 低开关损耗
- 低电感设计
- 大电流密度
- 由于集成安装夹，所以坚固耐用
- PressFIT触点技术
- 集成NTC温度传感器
FF4MR12W2M1H_B70
- 双配置
- Easy 2B封装
- VDSS = 1200V，Rds On = 4mΩ
- IDN = 200A/IDRM = 400A
- 低电感设计
- 低开关损耗
- 大电流密度
- 改进陶瓷基板
- 集成NTC温度传感器
- PressFIT触点技术
- 采用一体式安装夹，所以安装坚固耐用

FF6MR12W2M1H_B11
- VDSS = 1200V
- IDN = 150A/IDRM = 300A
- 低开关损耗
- 低电感设计
- 大电流密度
- 由于集成安装夹，所以坚固耐用
- PressFIT触点技术
- 集成NTC温度传感器
FF6MR12W2M1H_B70
- 双配置
- Easy 2B封装
- VDSS = 1200V，Rds On = 5.63mΩ
- IDN = 200A/IDRM = 400A
- 低电感设计
- 低开关损耗
- 大电流密度
- 改进陶瓷基板
- 集成NTC温度传感器
- PressFIT触点技术
- 由于集成安装夹，所以坚固耐用