IXYS IX4351NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器
IXYS Integrated Circuits IX4351NE低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器具有独立的9A源端和接收端输出，可实现定制的导通和关断时序，同时最大限度地降低开关损耗。IX4351NE设有内部负电荷稳压器，可提供可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度并实现更快关断。
去饱和检测电路通过检测SiC MOSFET的过流状况并启动软关断来防止潜在的dV/dt破坏事件。逻辑输入与TTL和CMOS兼容；即使在负栅极驱动偏置电压情况下，该输入也无需进行电平移位。保护特性包括UVLO和热关断检测。
IX4351NE采用散热增强型16引脚功率SOIC封装，额定工作温度范围为-40°C至+125°C。
特性
- 独立的9A源端和接收端输出
- 工作电压范围：-10V至+25V
- 内部负电荷泵稳压器，用于可选的负栅极驱动偏置
- 去饱和检测，带软关断接收端驱动器
- TTL和CMOS兼容输入
- 欠压闭锁 (UVLO)
- 热关断
- 开漏输出故障指示
应用
- 驱动SiC MOSFET和IGBT
- 车载充电器和直流充电桩
- 工业逆变器
- PFC、交流/直流和直流/直流转换器
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框图
典型应用电路
发布日期: 2019-11-20
| 更新日期: 2023-12-12