IXYS Q3级HiperFET™功率MOSFET

IXYS Q3级HiPerFET™功率MOSFET为最终用户提供各种具有出色电源开关性能的器件。它们还具有出色的散热特性、增强的器件耐用性和高能效。这些MOSFET具有200V至1000V的额定漏-源电压和10A至100A的额定漏极电流。得益于以上特性，使Q3级达到了低导通电阻 (R_dson) 和低栅极电荷 (Q_g) 的最佳组合，从而显著降低了器件的导通和开关损耗。通过采用HiperFET 工艺进一步提高了电源开关能力和器件的耐用性。该工艺生产出的器件具有快速本征整流器，其具有低反向恢复电荷 (Q_rr)，同时增强了器件的换向dv/dt额定值（高达50V/ns）。