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安森美 (onsemi) 通过推动颠覆性创新,助力打造更美好的未来。该公司专注于汽车和工业终端市场,正加速推动汽车电气化和安全、工业自动化、可持续能源电网以及5G和云基础设施等领域的大趋势变革。凭借其创新的产品组合,安森美(onsemi)打造能应对复杂挑战的智能电源和传感技术,努力创造更清洁、更安全、更智能的世界。安森美 (onsemi) 制定了响应迅速、可靠的供应链和质量管理体系,以及稳健的ESG计划,在其关键市场建立了一个全球网络,涵盖多个制造基地、销售与市场办事处以及工程中心。
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onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET针对高压运行进行了优化,并可承受快速开关及大电流应力。2026/4/14 -
onsemi NCV78964 2相升压/降压Led驱动器高效单芯片两相升压器和同步双降压Led驱动器。2026/4/10 -
onsemi NL3V1T244/34 1位双电源电平转换器提供两个独立功率域之间的速度、非反相电压转换。2026/4/10 -
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET一款双N沟道MOSFET,采用低Rg设计,适用于快速开关应用。2026/4/6 -
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计打造,兼具卓越的热性能。2026/3/13 -
onsemi NCP4306同步整流驱动器支持DCM/CCM反激式、准谐振反激式、正向式和谐振式LLC拓扑结构。2026/3/13 -
onsemi NCV8405A/B自保护低侧驱动器专为在恶劣的汽车和工业环境中提供可靠的开关性能而设计。2026/3/3 -
onsemi FAD1100-F085点火栅极驱动器IC直接驱动点火IGBT,并调节线圈电流和产生的火花事件。2026/3/3 -
onsemi ARX383 Hyperlux SG图像传感器电源树Hyperlux SG系列包括世界一流的全局快门器件(VGA、1/8”格式)。2026/2/26 -
onsemi AR0235 Hyperlux图像传感器电源树Hyperlux SG系列包括世界一流的全局快门器件(2.3MP、1/2.8”格式)。2026/2/26 -
onsemi AR0145 Hyperlux图像传感器电源树Hyperlux SG系列包括世界级的全局快门器件(1MP、1/4.3”格式)。2026/2/26 -
onsemi T30LMPSR165超快速线性稳压器该器件可以从1.4V的输入电压提供300mA的输出电流。2026/1/22 -
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET该器件具有低QRR和软恢复体二极管,采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。2025/12/26 -
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET专为紧凑高效的设计而打造,具有优异的热性能。2025/12/19 -
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。2025/12/4 -
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET采用高性能沟槽技术,具备极低RDS(on)和快速开关速度。2025/11/25 -
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET采用PowerTrench技术打造,具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。2025/11/25 -
onsemi NUD4700 LED分流器如果单个LED处于开路状态,则提供电流旁路 。2025/11/21 -
onsemi NCP737高压线性稳压器能够耐受高达65V的连续DC或瞬态输入电压,静态电流低于5uA。2025/11/20 -
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻,并通过AEC-Q101认证。2025/11/20 -
onsemi NL5X4002电平转换器2位可配置双−电源双向自动感应转换器。2025/11/20 -
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET具备低RDS(on),可将导通损耗降至最低,同时兼具大电流能力。2025/11/20 -
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。2025/11/19 -
onsemi NZ8P齐纳保护二极管旨在保护敏感电子组件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。2025/11/19 -
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET一款高效的单N沟道功率MOSFET,专为高要求电源管理应用而设计。2025/11/19 -
