Broadcom AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT光电倍增器阵列
Broadcom/Avago AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT硅光电倍增器 (SiPM) 阵列设计用于单光子的超灵敏精密测量。AFBR-S4N66P024M提供两个6mm × 6mm SiPM，采用2×1元件阵列，脚距为7mm。借助平铺多个AFBR-S4N66P024M阵列，可使7mm脚距的SiPM覆盖更大面积。
该阵列非常适合检测低强度脉冲光源，尤其是检测来自最常见的有机（塑料）和无机闪烁材料（例如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、LaBr3）的切伦科夫光或闪烁光。而且，该器件不含铅，符合RoHS指令。
特性
- 2×1 SiPM阵列
- 阵列尺寸：13.54mm × 6.54mm
- 高PDE值，420nm时超过65%
- 出色的SPTR和CRT
- 出色的击穿电压均匀性
- 增益均匀性极佳
- 四面可平铺，具有高填充系数
- 单元间距： 40µm × 40µm²
- 高度透明的环氧树脂保护层
- 工作温度范围：0°C至+60°C
- 符合RoHS指令以及CFM和REACH标准
应用
- X射线和伽马射线检测
- 伽马射线光谱
- 安全与安保
- 核医学
- 正电子发射计算机断层扫描
- 生命科学
- 流式细胞术
- 荧光-发光测量
- 时间相关单光子计数
- 高能物理学
- 天体物理学
相关产品
Broadcom 硅光电倍增管 (SiPM)
专为检测极弱光线而设计，甚至可检测至单光子级别。
Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光电倍增管阵列
采用具有出色机械稳定性和稳健性的封装。
回流焊示意图
框图
其他资源
发布日期: 2022-07-12
| 更新日期: 2023-10-27