Infineon Technologies CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET
英飞凌CoolSiC™汽车级1200V G1 SiC沟槽MOSFET具有更高的功率密度、更高的效率及更高的可靠性。该系列产品包括采用TO-247-3引脚、TO-247-4引脚及D2PAK-7引脚封装的1200V SiC MOSFET，其RDS(on)范围为8.7mΩ至160mΩ，在+25°C时的ID最大值为17A至205A。高功率密度、卓越的效率、双向充电能力以及显著降低的系统成本，使英飞凌的1200V汽车级CoolSiC™ MOSFET模块成为车载充电器和DC-DC应用的理想选择。TO和SMD元件还设有开尔文源极引脚，可优化开关性能。
特性
- 革命性的碳化硅半导体材料
- 非常低的切换损失
- 导通电压VGS(on) 增加20V
- IGBT兼容型驱动电压
- 0V关断栅极电压
- 基准栅极阈值电压：VGS(the) = 4.5V
- 同类最佳的开关能量
- 低器件电容
- 无阈值导通状态特性
- 与温度无关的关闭开关损耗
- ）。XT裸片连接技术，具有出色的散热性能
- 完全可控的dv/dt
- 检测引脚，可优化开关性能
- 适合高压爬电要求
- 薄型引线，降低了焊接桥的风险
- 换向鲁棒体二极管，可用于同步整流
- 工作温度范围：-55°C至+175°C
- 无铅、无卤且符合RoHS指令
应用
- 车载充电器和PFC
- 升压器和直流/直流转换器
- 辅助逆变器
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发布日期: 2024-01-09
| 更新日期: 2024-02-06