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Infineon Technologies CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET具有更高的功率密度、更高效率和更高可靠性。该产品组合设有1200V SiC MOSFET，采用TO-247-3引脚、TO-247-4引脚和D2PAK-7引脚封装，RDS(on) 范围为8.7mΩ至160mΩ，ID在+25°C时最大为17A至205A。英飞凌科技1200V汽车用CoolSiC™ MOSFET模块具有高功率密度、出色的效率、双向充电能力以及显著降低系统成本等特性，因此非常适合用于车载充电器和直流－直流应用。TO和SMD元件还设有开尔文源极引脚，可优化开关性能。

特性

  • 革命性的碳化硅半导体材料
  • 非常低的切换损失
  • 导通电压VGS(on) 增加20V
  • IGBT兼容型驱动电压
  • 0V关断栅极电压
  • 基准栅极阈值电压：VGS(the) =4.5V
  • 同类最佳的开关能量
  • 低器件电容
  • 无阈值导通状态特性
  • 与温度无关的关闭开关损耗
  • ）。XT裸片连接技术，具有出色的散热性能
  • 完全可控的dv/dt
  • 检测引脚，可优化开关性能
  • 适合高压爬电要求
  • 薄型引线，降低了焊接桥的风险
  • 换向鲁棒体二极管，可用于同步整流
  • 工作温度范围：-55°C至+175°C
  • 无铅、无卤、符合RoHS指令

应用

  • 车载充电器和PFC
  • 升压器和直流/直流转换器
  • 辅助逆变器

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发布日期: 2024-01-09 | 更新日期: 2024-02-06