Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
英飞凌 CoolSiC™ 750V碳化硅MOSFET旨在提供高效率、对单极栅极驱动寄生导通的鲁棒性以及可靠性。这些MOSFET在图腾柱、ANPC、维也纳整流器和FCC硬开关拓扑 中提供卓越的性能。输出电容 (Coss) 的降低使该MOSFET能够在循环换流器、CLLC、DAB和LLC软开关拓扑中以更高的开关频率运行。CoolSiC™ 750V G2 MOSFET的最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ，并通过改进的栅极控制改善了开关损耗。这些MOSFET通过了汽车和工业认证。典型应用包括电动汽车充电基础设施、电信、断路器、固态继电器、太阳能光伏逆变器和高压-低压DC-DC转换器。
特性
- 高度稳健的750V技术，100%通过了雪崩测试
- 优异的RDS(on) x Qfr
- 出色的RDS(on) x Qoss和RDS(on) x QG
- 低Crss/Ciss和高VGS(th)的独特结合
- 英飞凌专有芯片贴装技术
- TSC封装，采用I类材料
- 提供驱动源引脚
- 针对超过500V的总线电压，增强了稳健性和可靠性
- 在硬开关中具有出色的效率
- 在软开关拓扑结构中具有更高的开关频率
- 抗寄生导通能力强，适用于单极栅极驱动
- 出色的散热性能
- 通过改进栅极控制，降低开关损耗
- 符合工业级和车规级标准
应用
- 单向和双向车载充电器和HV-LV DC/DC转换器
- 断路器
- 高压电池断开开关
- 直流和交流低频开关
- 高压电子保险丝
- 固态继电器
- 电动汽车充电基础设施
- 太阳能光伏逆变器和UPS
- 能量存储和电池化成
- 电信和服务器SMPS
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在AC-DC、DC-DC以及DC-AC转换中，具有高水平的碳化硅 (SiC) 性能，同时满足最高质量标准。
发布日期: 2025-04-24
| 更新日期: 2025-11-24